技术要求

典型数值在27°C

氧化层厚度10000A

辐射Vth灵敏度

辐射场= 0.05 MV/cm : 灵敏度= 2.4mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.8mV/rad
(灵敏度在 1.5 krad(H₂O)，在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)

温度补偿

TVTC 15mV/°C
(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值.)

线性模式中Z.T.C. 数值~ -5µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)

饱和模式中Z.T.C.数值~ -30µA
(使用以下读写器电路配置)

预辐射剂量计的特点

阈值电压（外推） -17.2 +/- 0.4V

Vth漂移时间（秒） 4mV
(该数据出自读写器配置强迫40µA，两个中有一个因子会增大)

氧化层击穿电压>400V

沟道漏电流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 20 pA

亚阈值斜率-500 mV/decade

沟道电阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 1.95 Mohms

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